PRODUKTKATEGORIEN

MERKMALE

● Si-aktive Geräte

● Leistungsverstärkung bei 30 dB

● Geringe Verzerrung

● Hervorragende lineare Verstärkung

● Niedriger Rauschwert

● Hohe Zuverlässigkeit

● Niedrige Kosten

BESCHREIBUNG

Das Teil verwendet GaAs-Chips und wird von 5 MHz bis 200 MHz mit einer Versorgungsspannung von +24 V (DC) betrieben.

EIGENSCHAFTEN
(Bandbreite 5 bis 200 MHz; Tmb = 25 °C, VB = 24 V, ZS = ZL = 75 Ω)
SYMBOL	PARAMETER	EINHEIT	MINDEST.	TYP.	MAX.	BEDINGUNGEN
Gp	Kraftgewinn	dB	29.5	-	31	f=10 MHz
Gp	Kraftgewinn	dB	-	30.5	-	f=200 MHz
SL	Neigungskabeläquivalent	dB	-0,5	-	+0,5	f=5 bis 200 MHz
FL	Ebenheit des Frequenzgangs	dB	-	-	+0,5	f=5 bis 200 MHz
S11	Eingangsrückflussdämpfung	dB	-	-	-20	f=5 bis 200 MHz
S22	Ausgangsrückflussdämpfung	dB	-	-	-20	f=5 bis 200 MHz
CTB	Zusammengesetzter Triple Beat	dB	-	-	-66	17 Kanäle flach; Vo=50dBmV;
CSO	Zusammengesetzte Verzerrung zweiter Ordnung	dB	-	-	-65
Xmod	Kreuzmodulation	dB	-	-	-60
F	Rauschzahl	dB	-	4.3	-	f=200 MHz
Itot	Gesamtstromverbrauch	mA	130	160	-	VB=+24V
Das Modul arbeitet normalerweise bei VB=24 V(±0,5)

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Rückwärtsverstärkermodule

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