SMG2301R.PDF
MERKMALE
● Aktive GaAs-Geräte
● Leistungsverstärkung bei 30 dB
● Geringe Verzerrung
● Hervorragende lineare Verstärkung
● Niedriger Rauschwert
● Hohe Zuverlässigkeit
● Niedrige Kosten
BESCHREIBUNG
Der SMG2301R ist ein GaAs-Hybrid-Push-Pull-Verstärkermodul.
Das Teil verwendet GaAs-Chips und wird von 5 MHz bis 200 MHz mit einer Versorgungsspannung von +24 V (DC) betrieben.
EIGENSCHAFTEN |
(Bandbreite 5 bis 200 MHz; Tmb = 25 °C, VB = 12 V, ZS = ZL = 75 Ω) |
SYMBOL | PARAMETER | EINHEIT | MINDEST. | TYP. | MAX. | BEDINGUNGEN |
| Kraftgewinn | dB | 30 | -31 | 31.5 | f=10 MHz |
| Neigungskabeläquivalent | dB | -0,5 |
| +0,5 | f=5 bis 200 MHz |
| Ebenheit des Frequenzgangs | dB |
|
| ±0,3 | f=5 bis 200 MHz |
| Eingangsrückflussdämpfung | dB |
|
| -18 | f=5 bis 200 MHz |
| Ausgangsrückflussdämpfung | dB |
|
| -18 | f=5 bis 200 MHz |
| Zusammengesetzter Triple Beat | dB |
|
| -62 | 17 Kanäle ;VO=50dBmV CTB gemessen bei 77,25 MHz CSO gemessen bei 78,5 MHz;
|
| Zusammengesetzte Verzerrung zweiter Ordnung | dB |
|
| -63 |
| Kreuzmodulation | dB |
|
| -62 |
| Rauschzahl | dB |
| 4 |
| f=200 MHz |
| Gesamtstromverbrauch | mA
| 260 | 290 |
| VB=+12V |
Das Modul arbeitet normalerweise bei VB=12 V(±0,5) |
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