Hauptmerkmale
● Mittlere Leistung: 27 dBm P1 dB bei 2,7 GHz |
● Hervorragende Linearität: 45 dBm OIP3 bei 2,7 GHz |
● Hohe Verstärkung: 14 dB bei 2,7 GHz |
● Hoher Wirkungsgrad: 5 V/125 mA |
● Aktive Bias-Steuerung auf dem Chip |
● Bleifreies/umweltfreundliches/RoHS-konformes SOT89-Gehäuse |
● ESD 1000V HBM |
AG55 HBT MMICs Kaskadierbarer Verstärkungsblock
Der AG55 von Sanland ist ein hocheffizienter GaAs-Heterojunction-Bipolartransistor (HBT)-MMIC, der in einem kostengünstigen oberflächenmontierbaren Kunststoffgehäuse untergebracht ist. Diese HBT-MMICs werden mithilfe der Molekularstrahl-Epitaxie-Wachstumstechnologie hergestellt, die von Wafer zu Wafer und von Charge zu Charge eine zuverlässige und konstante Leistung gewährleistet. Diese Verstärker sind speziell für den Einsatz als Treibergeräte für Infrastrukturgeräte in 400-4000-MHz-Mobilfunk-, ISM-, WLL-, PCS- und WCDMA-Anwendungen konzipiert. Seine hohe Linearität macht ihn zur idealen Wahl für Mehrträger- und digitale Anwendungen.
Typ | Stromabwärts |
Frequenz Min(GHz) | 0,4 |
Frequenz Max (GHz) | 4,0 |
Verstärkung (dB) | 12.0 |
Eingangsrückflussdämpfung (dB) | -18 |
Ausgangsrückflussdämpfung(dB) | -10 |
NF(dB) | 6.5 |
Spannung (V) | 5 |
Strom (mA) | 250 |
Pakettyp | SOT-89 |
RoHS | Ja |
Bleifrei | Ja |
Halogen frei | Ja oder nein |
Hauptanwendungen
Elektrische Eigenschaften für die Anwendung
Parameter | Spezifikation | Einheiten | Anmerkungen | ||
Mindest | Typ. | Max | |||
Freq | 0,4 | 4,0 | GHz | ||
Gewinnen | 19 | 21 | 23 | dB | 850 MHz |
14 | 15.5 | dB | 1960 MHz | ||
13 | 14 | dB | 2700 MHz | ||
12 | dB | 3500 MHz | |||
P-1dB | 26 | 24.5 | dBm | 850 MHz | |
28 | dBm | 1960 MHz | |||
27 | dBm | 2700 MHz | |||
25.5 | dBm | 3500 MHz | |||
OIP3 | 40 | 44 | dBm | 850 MHz | |
40 | 44 | dBm | 1960 MHz | ||
45 | dBm | 2700 MHz | |||
43 | dBm | 3500 MHz | |||
Eingang zurückkehren Verlust | -10 | -15 | dB | 850 MHz | |
-17 | dB | 1960 MHz | |||
-13 | dB | 2700 MHz | |||
-18 | dB | 3500 MHz | |||
Ausgabe zurückkehren Verlust | -10 | dB | |||
Umgekehrte Isolation | -25 | dB | |||
NF | 5,0 | 6.5 | dB | ||
Vs | 5,0 | 5.5 | V | ||
IC | 115 | 126 | 140 | mA | |
Testbedingungen: Vs=5V ID=126mA Typ. OIP3-Tonabstand = 1 MHz, Pout pro Tonne = +5 dBm TL = 25 ℃ ZS = ZL = 50 Ohm |