Rauscharme MMIC-Verstärker · GaAs pHEMT

Rauscharme Verstärker für Breitband-HF-Frontends

Die rauscharmen GaAs-MMIC-Verstärker von SANLAND vereinen geringes Rauschen, hohe Verstärkung und hohe Linearität für kompakte HF-Empfänger- und Frontend-Designs.

Das aufgeführte Portfolio umfasst zellulare Infrastruktur, CATV-Netze, 5-GHz-Systeme und ONU-Anwendungen mit kompakten DFN-Gehäusen und Betrieb mit einer einzigen Stromversorgung.

Produkte vergleichen Anwendungen ansehen →

GERINGES GERÄUSCH

Ein Nennrauschen von nur 0,30 dB wurde erreicht.

BREITBAND

Angebotene Optionen bis zu 8,5 GHz

KOMPAKTE INTEGRATION

DFN-Gehäuse bis hinunter zu 1,5 × 1,5 mm

PRODUKTVERGLEICH

Vergleichen Sie die LNA-Spezifikationen.

Vergleichen Sie Frequenzbereich, Verstärkung, Rauschzahl, OIP3, P1dB, Versorgungsspannung und Gehäusegröße.

Scrollen Sie horizontal, um alle Spezifikationen anzuzeigen →

PRODUKT	HF-EIGENSCHAFTEN			LINEARITÄT		LEISTUNG & PAKET
Teilenummer Rauscharmer Verstärker MMIC	Frequenz GHz	Typischer Gewinn dB	Rauschzahl dB	OIP3 dBm	Typischer P1dB dBm	Liefern V / mA	Paket
AL34 Datenblatt (PDF) ↗	1,5–2,5 0,1–1,2	18 18	0,55 1	35 35	22 21	5 V 55 mA	DFN 2 × 2, 8L
AL36 Datenblatt (PDF) ↗	0,7–3,8	26 @ 850 MHz 21,5 @ 1850 MHz 19 @ 2500 MHz 15,7 @ 3600 MHz	0,30 @ 850 MHz 0,40 bei 1850 MHz 0,50 bei 2500 MHz 0,75 @ 3600 MHz	34	21	3–5 V 30–100 mA	DFN 2 × 2, 8L
AL37Datenblatt (PDF) ↗	0,7–3,8	26 @ 850 MHz 21,5 @ 1850 MHz 19 @ 2500 MHz 15,7 @ 3600 MHz	0,30 @ 850 MHz 0,40 bei 1850 MHz 0,50 bei 2500 MHz 0,75 @ 3600 MHz	34	21	3–5 V 30–100 mA	DFN 2 × 2, 8L
AL411Datenblatt (PDF) ↗	0,6–4,2	22	0,65 bei 2,6 GHz 0,7 @ 3,6 GHz	35	19	5 V 65 mA	DFN 2 × 2, 8L
AL415 Datenblatt (PDF) ↗	0,6–6	20	0,95 bei 5,5 GHz	34	17	5 V 60 mA	DFN 2 × 2, 8L
SL16 Datenblatt (PDF) ↗	0,4–8,5	21	1,8 @ 5 GHz	28	18	5 V 62 mA	DFN 2 × 2, 8L
SL18 Datenblatt (PDF) ↗	0,4–8,5	21	1,8 @ 5 GHz	28	18	3,3 V 72 mA	DFN 2 × 2, 8L
SL5404Datenblatt (PDF) ↗	4,9–5,9	13	1,2 @ 4,9–5,9 GHz	20	9	3,3 V 13 mA	DFN 1,5 × 1,5, 6L

MERKMALE

Bleifrei, RoHS-konformFür eine umweltverträgliche Produktintegration.

Stabile Verstärkung über die TemperaturGewährleistet eine gleichbleibende HF-Leistung unter allen Betriebsbedingungen.

1000 V ESD, Klasse 1CDefinierte Geräteschutzcharakteristik.

Betrieb aus einer einzigen VersorgungVereinfacht die Leistungsarchitektur und die Integration des HF-Frontends.

ANWENDUNGEN

01Kabelfernsehnetz

02Mobilfunk, GSM, UMTS, 5 GHz

03ONU

LNA-DESIGNSCHWERPUNKT

Ausgewogene Empfindlichkeit, Verstärkung und Linearität im HF-Frontend

Die LNA-Optionen von SANLAND unterstützen rauscharme Empfängerdesigns für Mobilfunk-, Kabelfernseh-, ONU- und drahtlose Breitbandsysteme.

WAS ZU VERGLEICHEN IST

RauschzahlEntscheidend für den Erhalt der Empfängerempfindlichkeit.

GewinnenDie Eingangssignalverstärkung erfolgt vor den nachfolgenden Stufen.

OIP3 & P1dBLinearität und verfügbaren HF-Spielraum angeben.

Lieferung & VerpackungPrüfen Sie den Bedarf an Vorspannung und die Integrationsbeschränkungen auf der Leiterplatte.

TECHNOLOGIE & INTEGRATION

GaAs pHEMT MMICRauscharme Halbleiterplattform für HF-Empfängerstufen.

Kompaktes DFNFlache Gehäuse für dichte HF-Leiterplattenlayouts.

EinzelversorgungVereinfacht die Integration von Vorspannung und Stromversorgungssystemen.

BreitbandoptionenUnterstützt Designs, die sich bis in Multi-GHz-HF-Bänder erstrecken.

MMIC-RASEVERSTÄRKER

Besprechen Sie Ihre LNA-Anforderungen

Teilen Sie uns Ihre Anforderungen an Frequenzbereich, Verstärkung, Rauschzahl, Linearität, Stromversorgung und Gehäuse mit.
Unser HF-Team empfiehlt Ihnen einen geeigneten SANLAND LNA für Ihre Anwendung.

Antragsprüfung und LNA-Empfehlung

Technischer Support

Sprechen Sie mit unserem RF-Team

Erhalten Sie eine praxisnahe Empfehlung für Ihre LNA-Designziele.

Empfehlung anfordern

info@sanlandtech.com WhatsApp: +86 159 1992 0302